為了更好的建設(shè)屏蔽工程，保障屏蔽工程的順利進(jìn)行，在施工過(guò)程中就要注意相關(guān)事項(xiàng)，那么需要關(guān)注哪些重要事項(xiàng)呢？下面就由無(wú)錫立達(dá)屏蔽成套設(shè)備有限公司的工作人員來(lái)為大家解答：

影響屏蔽工程其性能指標(biāo)的因素主要包括：暗室參數(shù)、天線測(cè)量的誤差以及其他誤差等。

微波暗室的電性能指標(biāo)主要由靜區(qū)的特征來(lái)表征。靜區(qū)的特性又以靜區(qū)的大小、靜區(qū)內(nèi)的大反射電平、交叉化度、場(chǎng)均勻性、路徑損耗、固有雷達(dá)截面、工作頻率范圍等指標(biāo)來(lái)描述。

影響暗室性能指標(biāo)的因素是多元化的，也是很復(fù)雜的，在利用光線發(fā)射法和能量物理法則對(duì)暗室性能進(jìn)行仿真計(jì)算時(shí)，需要考慮電波的傳輸去耦，化去耦，標(biāo)準(zhǔn)天線的方向圖因素，吸收材料本身的垂直入射性能和斜入射性能，多次反射等影響。但在實(shí)際的工程設(shè)計(jì)過(guò)程中，往往以吸收材料的性能作為暗室性能的關(guān)鍵決定因素。

1)交叉化度：由于暗室結(jié)構(gòu)的不嚴(yán)格對(duì)稱、吸收材料對(duì)各種化波吸收的不一致性以及暗室測(cè)試系統(tǒng)等因素使電波在暗室傳播過(guò)程中產(chǎn)生化不純的現(xiàn)象。如果待測(cè)試天線與發(fā)射天線的化面正交和平行時(shí)，所測(cè)試場(chǎng)強(qiáng)之比小于-25dB，就認(rèn)為交叉化度滿足要求。

2)多路徑損耗：路徑損耗不均勻會(huì)使電磁波的化面旋轉(zhuǎn)，如果以來(lái)波方向旋轉(zhuǎn)待測(cè)試天線，接收信號(hào)的起伏不超過(guò)+-0.25 dB，就可忽略多路徑損耗。

3)場(chǎng)均勻性：在暗室靜區(qū)，沿軸移動(dòng)待測(cè)試天線，要求起伏不超+-2dB；在靜區(qū)的截面上，橫向和上下移動(dòng)待測(cè)天線，要求接收信號(hào)起伏不超過(guò)+-0.25 dB。

2、天線測(cè)量的誤差

1)有限測(cè)試距離所引起的誤差

設(shè)待測(cè)的是平面天線,接收的來(lái)波沿其主波束的軸向.若測(cè)試距離大小,由待測(cè)天線之不同部位所接受的場(chǎng)不能相同,因此具有平方根律相位差。若待測(cè)天線恰位于源天線遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)的邊界2D2/λ,其口徑邊緣與相位中心的場(chǎng)存在22.5度的相位差.若測(cè)試距離加倍,在相位差減半。

對(duì)于測(cè)量中等旁瓣電平的天線,距離2D2/λ通常已經(jīng)足夠,測(cè)出的增益約偏小0.06dB.測(cè)試距離縮短會(huì)使測(cè)量誤差迅速增大,旁瓣會(huì)與主波束合并成肩臺(tái)式,甚至合為一體..通常0.25 dB的錐銷使測(cè)出的增益降低約為0.1 dB,并造成近旁瓣的些許誤差。

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